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羅姆開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界最高級別功率轉(zhuǎn)換性能的功率MOSFET

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-10     來源:[標簽:出處]     作者:[標簽:作者]     瀏覽次數(shù):160
核心提示:
的中功率的高效率MOSFET,隨著24V輸入的大型大功率工業(yè)設備和車載領(lǐng)域的發(fā)展,對耐壓40V級別、支持大電流的高效率功率MOSFET的需求日益高漲。

  新系列產(chǎn)品采用了羅姆獨家的低電容構(gòu)造和"溝槽式場板結(jié)構(gòu)",成功地同時實現(xiàn)了本為相互制約關(guān)系的低導通電阻與低柵極電容。由此,作為DC/DC轉(zhuǎn)換器用功率MOSFET的性能指數(shù)所使用的"FOM"與以往產(chǎn)品相比大幅減小,達到了業(yè)界最高級別的高效率。不僅如此,還可支持高頻動作,有助于外圍部件的小型化。

  另外,根據(jù)用途可提供6種封裝,在工業(yè)設備和車載領(lǐng)域中廣泛使用的大功率封裝(TO-220, LPTS)產(chǎn)品陣容中,又增添了適用100A大電流的產(chǎn)品,有助于大幅降低設備的功耗。

  此外,本產(chǎn)品為了確保同步整流電路中的性能,針對UIS(L負載雪崩耐量)實施了100%試驗,在質(zhì)量方面也具有高可靠性。羅姆今后也將充分發(fā)揮獨創(chuàng)的先進工藝加工技術(shù),不斷推進設想到客戶需求的晶體管產(chǎn)品的開發(fā)。

  <特點>

  1) 采用新構(gòu)造,實現(xiàn)了業(yè)界最高級別的高效率性能

  進一步微細化,同時,采用羅姆獨家的低電容構(gòu)造和新的"溝槽式場板結(jié)構(gòu)",實現(xiàn)了低電容與低導通電阻兼?zhèn)涞脑。與羅姆以往產(chǎn)品相比,表示功率MOSFET的性能指數(shù)的"FOM"數(shù)值可大幅減小。

  2) 100A的大電流、適用于工業(yè)設備和車載用設備

  根據(jù)不同用途,提供6種封裝。效率更高,使在高頻區(qū)域的使用成為可能。不僅如此,還可支持100A的大電流,可滿足工業(yè)設備和車載領(lǐng)域中的各種需求。

  <規(guī)格>

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