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國半線性穩(wěn)壓器具有高電源抑制比,單價0.55美元

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-20     來源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):162
核心提示:

美國國家半導(dǎo)體公司(National Semiconductor;NI)日前宣布該公司100mA低壓降CMOS線性穩(wěn)壓器添加了采用全新LLP封裝的新型號。這款型號為LP5900SD的穩(wěn)壓器不但具有號稱是業(yè)界最低的輸出噪聲及高電源紋波抑制比,可確保信號完整無缺,而且靜態(tài)電流低至只有25μA,有助于延長便攜式電子產(chǎn)品的電池壽命。此外,LP5900SD還具有80mV的極低壓降,因此可以利用最低的供電電壓進(jìn)行穩(wěn)壓,有助于提高系統(tǒng)效率。在整個線路/負(fù)載/溫度范圍內(nèi),輸出電壓準(zhǔn)確度都可保持在±2%之內(nèi),確保信號路徑元件獲得穩(wěn)定的供電,以便發(fā)揮最高的性能。

LP5900SD芯片適用于模擬及射頻信號路徑集成電路,可為低噪聲放大器、壓控振蕩器、射頻接收器、圖像傳感器以及顯示器提供穩(wěn)壓供電。由于LP5900SD芯片無需外加旁路電容器,因此只產(chǎn)生6.5uVRMS的極低噪聲。LP5900SD芯片的電源抑制比(PSRR)高達(dá)85dB。由于這款芯片內(nèi)部產(chǎn)生的噪聲極低,而且電源抑制比極高,因此最適用于高靈敏度的模擬及射頻負(fù)載,是這類電路最理想的電源管理解決方案。

LP5900SD芯片除了采用micro SMD封裝之外,還有2.20mm×2.50mm×0.8mm的6引腳小型LLP封裝可供選擇,并且只需另外加設(shè)兩個0.47μF的陶瓷電容器,因此占用電路板極少的空間,有助于降低物料成本。。由于LP5900SD芯片只需0.47uF的輸入及輸出電容也可穩(wěn)定操作,因此加設(shè)兩個小型陶瓷芯片形電容器便已足夠。此外,由于這款芯片具備以下幾個特殊的優(yōu)點,例如封裝小巧、無需加設(shè)旁路電容器以及只需采用兩個小型陶瓷芯片形電容器,因此占用電路板極少的空間,有助降低物料成本。

LP5900SD芯片有1.5V、1.8V、2.0V、2.2V、2.5V、2.7V、2.8V、3.0V及3.3V等多個輸出電壓可供選擇。這款芯片還具備1.5V至3.3V電壓范圍之外的其他電壓可供選擇。LP5900SD線性穩(wěn)壓器芯片以1,000顆為采購單位,單顆價為0.55美元,已有大量現(xiàn)貨供應(yīng)。
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